半導体ALD/CVDプリカーサーは、半導体薄膜堆積プロセスの中核原料であり、化学気相成長法（CVD）と原子層堆積法（ALD）により金属/酸化物/窒化物薄膜を調製することができ、90nm-14nm、さらには7nm先端技術ノードIC製造プロセスで使用される。 集積回路製造プロセスの7nm先端技術ノードでさえ、ロジックチップ、AIチップ、5Gチップ、大容量メモリー、クラウドコンピューティングチップを含むハイエンドチップ製造に広く使用されている。
当社は多種のALD/CVD前駆体材料と技術を持っており、トリメチルアルミニウムを含む多種の製品を提供することができる。